Российский рынок интегральных микросхем (ИМС), дизайна ИМС и контрактного производства. Часть 1. Анализ предложения продукции на российском рынке (артикул: 11197 02306)

Вы можете заказать данный отчёт в режиме on-line прямо сейчас, заполнив небольшую форму регистрации. Заказ отчёта не обязывает к его покупке. После получения заказа на отчёт с Вами свяжется наш менеджер.

• Полное описание отчета

  Отчет представляет собой подробное исследование российского рынка микрочипов со стороны предложения. В рамках исследования проведен сплошной опрос всех российских производителей микрочипов на предмет: технологического уровня производимой продукции, типов производимых микросхем, объемов и динамики производства, сегментов потребления; проведен сплошной опрос российских дизайнерских компаний на предмет: технологии, типов и проектных норм разрабатываемых микросхем, использование САПРа(свой/чужой), мест размещения производства ИС (Россия/зарубежье), области применения разрабатываемых ИС, скорости проектирования и внедрения в производство новых типов микросхем ; проанализированы данные ФТС; проанализированы общие данные по потребительским сегментам (специфика сегмента, объем потребления чипов по типам, крупнейшие потребители). В исследовании также использованы данные Росстата, финансовые отчетности предприятий-участников отрасли и широкий спектр открытой вторичной информации.
  На основании изученной информации представлены следующие данные:

  В рамках первой главы представлено описание базовых технологических процессов, используемых в производстве интегральных микросхем, таких как: молекулярно-лучевая эпитаксия; термическое и магнетронное напыление тонких пленок; ионно-лучевая имплантация; химического и ионно-плазменного травления; фото-, электронно-лучевая литография и литография жесткого ультрафиолетового излучения. Кроме этого, приведена классификация технологических поколений изготовления ИС и дано описание современных технологий микроэлектроники, которые необходимо освоить для достижения того или иного технологического уровня производства: технология медных межсоединений, оптическая коррекция близости, технология фазовых масок и иммерсионная литография, технология напряженного кремния и high-k-диэлектриков с металлическим затвором. Кроме того, дана краткая характеристика развития наноэлектроники, описаны методы создания и диагноститки наноразмерных объектов

  В рамках второй главы представлены динамика объемов производства ИМС (в шт.) по компаниям-производителям и по стране в целом, структура выпускаемой в стране продукции по типам ИС, структура производства по технологическим уровням ИС (в том числе динамика изменения данных структур), по потребительским сегментам. Типовая структура также дана в стоимостном выражении.
  Приведены подробные описания всех компаний-производителей в отрасли: дата основания, собственник/управляющая структура, основное направление деятельности, характеристика используемой технологии, ассортимент выпускаемых ИС, средства проектирования САПР, Производственные мощности, объем продаж (в шт. и руб.), кол-во (2010г) и скорость внедрения в производство новых типов микросхем, производственные площадки (название, месторасположение), основные сегменты сбыта, планы развития предприятия. Подробные данные также представлены по белорусским предприятиям.
  Достаточно подробная информация дана и по российским дизайн-центрам: краткое описание дизайн-центров (дата основания, основное направление деятельности, характеристика используемой технологии, ассортимент заказываемых ИС, средства проектирования САПР, компании-партнеры и их производственные площадки, основные сегменты сбыта, планы развития предприятия). Кроме того, продемонстрирована структура продукции по типам заказных ИС (в шт. и дол.) и структура их распределения по потребительским сегментам (2010г), а также данные о скорости разработки новых типов микросхем.

  В рамках третьей главы глубоко проанализированы импортные поставки ИС в РФ. Представлены динамика и объемы ввоза интегральных микросхем на внутренний рынок за 2008 – 2010гг, 2011(1-е полугодие), выделены основные поставщики ИС, обозначены географическая сегментация поставщиков, региональное распределение импорта ИС в Россию (Азия, Центральная и Южная Америка, Северная Америка, Европа, Африка). Показана структура распределения поставляемых в 2010 году ИС по типам (процессоры, контроллеры, обработка сигналов, микросхемы питания, микросхемы памяти, ПЛИС, ID- и RFID- чипы) и по назначению (автоэлектроника, бытовая электроника, НИР и мед. техника, идентификация, ВПК и авиакосмос, транспорт и логистика, компьютерная техника, промышленная электроника, телекоммуникация и связь). Предоставлены сведения о крупнейших поставщиках ИС в 2010 году в разбивке по типам микросхем, а также крупнейших покупателях ИС в России. Все данные показаны в количественном и в стоимостном выражении.
  В разделе экспорта продемонстрированы динамика и объемы поставок российских производителей на внешний рынок за 2008 – 2010гг, 2011(1-е полугодие). Представлены данные российских производителей по экспорту ИС за 2010 год. Показано распределение экспортируемой продукции по типам и назначению. Кроме того, дана география экспорта российских компаний. Данные представлены в количественном и стоимостном выражении.
  
  В рамках четвертой главы оценена динамика «видимого» потребления ИС в России (производство минус экспорт плюс импорт), определена структура потребления в зависимости от источника предложения (российское производство, поставки из Белоруссии, импорт), структура потребления по типам микросхем, по сегментам потребления.
  В разделе потребление по типам дано подробное описание типов микросхем с распределением по сегментам потребления, указаны крупнейшие поставщики ИС на российский рынок (с учетом российских производителей, поставок из Белоруссии и стран дальнего и ближнего зарубежья), их объем и доля в потреблении на российском рынке. Представлен обзор потребителей ИС различного типа в каждом сегменте потребления.
  В разделе потребление по сегментам подробно проанализированы потребительские сегменты с точки зрения необходимости применения микросхем в том или ином сегменте. Представлено распределение ИС по типам. В каждом сегменте рынка указаны типичные компании-потребители.
  Помимо того, представлено краткое описание контрактного производства ИМС в России. Обосновано появление контрактного производства как услуги, обозначен перечень компаний, наиболее активно выступающих на данном рынке.
  
  Компании, упомянутые в отчете:

  ОАО "Ситроникс", ОАО «НИИМЭ и Микрон», ЗАО «ВЗПП-Микрон», ОАО «Ангстрем», ЗАО «Группа Кремний Эл», ОАО «Восход» – КРЛЗ», ОАО «Орбита», ОАО «ВЗПП-С» («Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка»), ОАО «Протон», ОАО «Экситон» (завод), ЗАО «Светлана ПП», ФГУП «НЗПП с ОКБ», ОАО «Болховский завод полупроводниковых приборов» (БЗПП), ФГУП «НПП «Восток», ОАО «Саранский завод точных приборов», ООО «НПП ТЭЗ» (Томилинский Электронный Завод), ОАО НПП «Сапфир», ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (Росатом), ОАО «НПП «ЭлТом» (Электроника Томилино), ФГУП НПП «Пульсар», ФГУП «НИИЭТ», ФГУП «НПП «ИСТОК», ОАО «НПО «Физика», ОАО «Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов» (ОАО «НИИПП), НПК «Технологический центр» МИЭТ», НПФ «Микран», «НИИСИ РАН» (Научно-исследовательский Институт системных исследований), ОАО «Завод «Реконд», ОАО «ОКБ-Планета», ЗАО НПК Далекс, ЗАО «ОКБ микроэлектроники» (ЗАО «ОКБ МЭЛ»), ЗАО НПП «РЕФ-Оптоэлектроника», ГУП НПЦ «Элвис», ЗАО «ПКК Миландр», ЗАО «МЦСТ», НПК «Технологический центр» МИЭТ», ОАО «Интеграл», УП «Завод полупроводниковых приборов» (г.Минск), «Транзистор» (г.Минск), ГП «Камертон» (г.Пинск), НТЦ «Белмикросистемы» (г.Минск)

  «Actel Corporation», «Advanced Micro Devices, Inc.», «Alpha & Omega Semiconductors Co.,Ltd», «Altera Corporation», «Analog Devices, Inc.», «Arrow Electronics», «Atmel Corporation», «Avnet company», «Axelite Technology», «China Resources Semiconductor International Ltd», Dynacard Co., Ltd», «EBV Elektronik», «Fujitsu Ltd», «Fulan», «Gemalto», «Hong Kong Fitmax International Trading Limited», «Infineon Technologies AG», «Intel Corporation ltd.», «International Rectifier Corp.», «KEC CO., Ltd», «Logos Smart Card (ASIA) PTE Ltd», «Microchip Technology Inc.», «National Semiconductor», «Neo Fidelity Inc», «Numonyx B.V.», «NXP Semiconductors», «Oberthur Technologies», «ON Semiconductor», «Philips», «PKC Electronics OY», «Ramtron International Corp.», «Rohm Corporation», «Sagem Sécurité», «Samsung Electronics Co.Ltd», «STMicroelectronics», «Texas Instruments Inc.», «Toshiba», «Tyco Electronic Corporation», «Xilinx Corporation», «Zilog Inc.»

  ЗАО «НТ-МДТ», ЗАО «Орга Зеленоград», ЗАО "Ситроникс", ОАО «Гонец Спутниковая Система», ОАО « НТЦ «Спецпроект», ООО «БЕЛИВ», ООО «Жемальто», ООО «Микроэл», ООО «Новокард», ООО «Оптекс Регион», ООО «Самсунг Электроникс Рус Калуга», ООО «Ситроникс Смарт Технологии», ООО «Фоксконн Рус», ООО «Электрокос», ООО «ЭФО», ООО «Янтарь-Электро»,ООО «НПФ Электропривод», OOO «FERRUM», OOO «ТИСком», ГК «Аквариус», ГК «Формоза», ЗАО «ЗХ Стинол», ЗАО «Борисоглебские системы связи», ЗАО «Группа ЕВГО», ЗАО «ЕВРОМИКС», ЗАО «Инкотекс», ЗАО «Конфин-Логика». ЗАО «КРОНТ-М». ЗАО «МАССА-К», ЗАО «Уральский завод вычислительной техники», ЗАО «Эр-Стайл Компьютерс», компания «КБ Связь», компания «DEPO Computers», компания «DESTEN», компания «Etegro Technologies». компания «iRU». компания «Parabel», компания «QTECH», компания «STSS», компания «Zelax», компания «Агат-РТ», компания «АСКОД», компания «К-Систем/Irbis», компания «ОСАТЕК», компания «РОН-Телеком», компания «Хризалис», корпорация «Аэрокосмическое оборудование», НПО «Тензор», НПО «Техника-сервис», НПП «Орион», НПП «Промышленная электроника», ОАО «Веста», ОАО «Калужский завод автомобильного электрооборудования» («КЗАЭ»), ОАО «НПО «Марс», ОАО «Юрьев-Польский завод «Промсвязь», ОАО «Автоэлектроника», ОАО «Газмаш», ОАО «Досчатинский завод медоборудования», ОАО «Елатомский приборный завод», ОАО «Загорский оптико-механический завод», ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнёва», ОАО «Концерн ПВО «Алмаз-Антей», ОАО «Малоярославецкий приборный завод», ОАО «Марийский машиностроительный завод», ОАО »Медоборудование», ОАО «НИИ Точного Машиностроения» (ОАО «НИИТМ»), ОАО «Новоаннинский завод «ЭМА», ОАО «НПП «Геофизика-Космос», ОАО «Российские космические системы», ОАО «Элара», ОАО Пермская Научно-Производственная Приборостроительная Компания (ПНППК), ООО «Аналитик-ТС», ООО «Блеск-НВФ», ООО «Телесистемы», ООО «ШТАТ» (НИЛ-15), ООО «Альтоника», ООО «Компания Промышленная Электроника», ООО «ЛВС Электроникс», ООО «ЛГ Электроникс Рус», ООО «Микротэк», ООО «МУЛЬТИТРОНИКС», ООО «НПО «Пуск», ООО «Палиха», ООО «СЭПО-ЗЭМ», ООО «УралАвтоКомплект», ООО «Фаствел», ООО «ЭЛСИТ», ФГУП ГРПЗ филиал «Касимовский приборный завод», ФГУП «Государственный Рязанский приборный завод» (ФГУП «ГРПЗ»), Компания «Розан Файнэнс», ЗАО «Новакард», ОАО «Тюменская транспортная система», ООО «Терион-Имидж», Компания «A1CARD», Компания «РуссКом-Кард Плюс»

• Подробное оглавление/содержание отчёта

  Оглавление:
  Введение
  Глава 1. Основные технологии микроэлектроники, используемые при изготовлении микросхем

  1.1 Общие требования к производству изделий микроэлектроники
  1.2 Напыление тонких пленок
  1.2.1 Термическое напыление
  1.2.2 Магнетронное и катодное распыление
  1.3 Молекулярно-лучевая эпитаксия
  1.4 Окисление
  1.5 Ионно-лучевая имплантация
  1.6 Литография
  1.6.1 Фотолитография
  1.6.2 Электронно-лучевая литография
  1.6.3 Принципы ультрафиолетовой литографии
  1.7 Травление
  1.7.1 Химическое травление
  1.7.2 Ионно-лучевое травление
  1.7.3 Ионно-плазменное травление
  1.8 Типы транзисторов на микросхемах
  1.9 Стандартный процесс производства микросхем
  1.10 Условная градация поколений технологии производства интегральных микросхем (БИС, СБИС, «чип»)
  1.11 Современные технологии производства микросхем
  1.11.1 Медные межсоединения
  1.11.2 Напряженный кремний
  1.11.3 Современная фотолитография
  1.11.4 Технология high-k/metal gate
  1.12 Наноэлектроника

  Глава 2. Предложение на российском рынке (отечественные и белорусские производители и дизайн-центры)

  2.1 Инфраструктура рынка
  2.1.1 Технологический уровень
  2.1.2 Функциональное назначение
  2.1.3 Сегменты потребительского рынка
  2.2 Российское производство ИС
  2.2.1 Динамика производства ИС в России
  2.2.2 Описание Российских производителей
  2.3 Белорусские производители ИС
  2.4 Компании-разработчики (Дизайн-Центры)
  2.4.1 Классификация ДЦ
  2.4.2 Назначение и скорость разработки проектируемых ИС
  
  Глава 3. Анализ внешней торговли

  3.1 Импорт
  3.2 Анализ экспорта
  
  Глава 4. Характеристика структуры потребления ИС в России

  4.1 Общее потребление ИС в России
  4.2 Потребление ИС по типам
  4.2.1 Процессоры
  4.2.2 Контроллеры
  4.2.3 Программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС)
  4.2.4 Микросхемы памяти
  4.2.5 Микросхемы питания
  4.2.6 Микросхемы обработки сигналов
  4.2.7 ID- и RFID- чипы
  4.3 Распределение микросхем по сегментам потребления
  4.3.1 Потребление ИС в сегменте автоэлектроника
  4.3.2 Потребление ИС в сегменте промышленная электроника
  4.3.3 Потребление ИС в сегменте ВПК, авиакосмос
  4.3.4 Потребление ИС в сегменте бытовая электроника
  4.3.5 Потребление ИС в сегменте компьютерное техника
  4.3.6 Потребление ИС в сегменте телекоммуникация и связь
  4.3.7 Потребление ИС в сегменте НИР и медтехника
  4.3.8 Потребление ИС в сегменте транспорт и логистика
  4.3.9 Потребление ИС в сегменте идентификация
  
  Приложение 1. Распределение выпускаемых российскими производителями микросхем по технологическим уровням и типам
  Приложение 2. Контактные данные российских производителей ИМС
  Приложение 3. Контактные данные российских дизайн-центров

• Перечень приложений

  Список таблиц и диаграмм:

  Таблица 1.1. Поколения технологии производства микроэлектроники
  Таблица 2.1 Объемы производства ИС по российским производителям 2009-2011г.г.
  Таблица 2.2 Объем выпуска ИС по типу в зависимости от техуровня в 2009 году
  Таблица 2.3 Объем выпуска ИС по типу в зависимости от тех уровня в 2010 году
  Таблица 2.4 Объем выпуска ИС по типу в зависимости от тех уровня в 2011 году
  Таблица 2.5 Технологический уровень, компании-партнеры и объемы заказов российских независимых дизайн-центров по состоянию на 2010г.
  Таблица 2.6 Поставки ИС независимых дизайн-центров по типу ИС и их распределение по потребительским сегментам, 2010 г
  Таблица 2.7 Динамические показатели дизайн-центров в 2010г. (САПР, кол-во новых типов ИС, рост объема продаж)
  Таблица 2.8 Усредненные данные о скорости разработки и внедрения ИС различных типов
  Таблица 3.1 Иностранные производители- лидеры поставок на российский рынок по количеству шт. в 2010г.
  Таблица 3.2 Иностранные производители -поставщики ИС на Российский рынок в денежном эквиваленте в 2010г
  Таблица 3.3 География поставок на российский рынок в 2010г. по странам в количественном выражении, млн. шт.
  Таблица 3.4 География поставок на российский рынок в 2010г.по странам в денежном эквиваленте
  Таблица 3.5 Крупнейшие компании-поставщики процессоров на Российский рынок в 2010г
  Таблица 3.6 Крупнейшие компании-поставщики контроллеров на Российский рынок в 2010г
  Таблица 3.7 Крупнейшие компании-поставщики ПЛИС на Российский рынок в 2010г
  Таблица 3.8 Крупнейшие компании-поставщики ИС памяти на Российский рынок в 2010г
  Таблица 3.9 Крупнейшие компании-поставщики ИС питания на Российский рынок в 2010г
  Таблица 3.10 Крупнейшие поставщики ИС обработки сигналов на Российский рынок в 2010г
  Таблица 3.11 Крупнейшие поставщики ID- и RFID- чипов на Российский рынок в 2010 г.
  Таблица 3.12 Лидеры закупок на российском рынке в 2010г в количественном выражении
  Таблица 3.12 Лидеры закупок на российском рынок в 2010г в денежном выражении
  Таблица 3.13 Объем российского экспорта ИС по компаниям-производителям, 2010г
  Таблица 3.14 География экспорта российских компаний в 2010г в количественном выражении
  Таблица 3.15 География экспорта российских компаний в 2010г в денежном эквиваленте
  Таблица 4.1 Объем потребления ИС в России в 2010 году по типам, млн. шт.
  Таблица 4.2 Объем потребления ИС в России в 2010 году по сегментам, млн. шт.
  Таблица 4.3 Структура предложения процессоров на российском рынке по российским и зарубежным производителям, 2010г
  Таблица 4.4 Структура предложения контроллеров на российском рынке по российским и зарубежным производителям, 2010г
  Таблица 4.5 Структура предложения ПЛИС на российском рынке по российским и зарубежным производителям, 2010г
  Таблица 4.6 Структура предложения ИС памяти на российском рынке по российским и зарубежным производителям, 2010г
  Таблица 4.7 Структура предложения ИС питания на российском рынке по российским и зарубежным производителям, 2010г
  Таблица 4.8 Структура предложения ИС обработки сигналов на российском рынке по российским и зарубежным производителям, 2010г
  Таблица 4.9 Структура предложения ID- и RFID- чипов на российском рынке по российским и зарубежным производителям, 2010г

  Рис. 1.1. Классификация процессов очистки поверхности
  Рис. 1.2. Схема установки магнетронного напыления тонких пленок
  Рис. 1.3 Схема газового процесса эпитаксии
  Рис. 1.4 Схема жидкостной эпитаксии
  Рис. 1.5 Система источников-нагревателей для молекулярно-лучевой эпитаксии
  Рис. 1.6 Термическое окисление кремния
  Рис. 1.7 Схема установки ионной имплантации
  Рис. 1.8 Типичные профили распределения примесей при ионной имплантации
  Рис. 1.9 Наиболее распространенные виды литографических процессов
  Рис. 1.10 Схематичное изображение установки ЭЛЛ в Берклеевской лаборатории (США)
  Рис. 1.11 Схематичное представление действия электронных резистов: а) – негативный; б) – позитивный
  Рис. 1.12 Влияние рассеянных электронов на профиль одиночной линии в негативном (а) и позитивном (б) резистах
  Рис. 1.13 Схематичное изображение технологического процесса, используемого в Беркли (США) для формирования рельефа зонной пластинки с разрешением 25 нм
  Рис. 1.14 Принципиальная схема установки экстремальной ультрафиолетовой литографии
  Рис. 1.15 Внешний вид шаблона для экстремальной ультрафиолетовой литографии
  Рис. 1.16 Сравнение технологических этапов изготовления биполярного и МОП-транзистора: а) биполярный – 6 фотолитографий; б) МОП-транзистор – 4 фотолитографии
  Рис. 1.17 Стандартный процесс полупроводникового производства микросхем
  Рис. 1.18 Закон Мура
  Рис. 1.19 Различие в создании алюминиевых и медных внутрислойных соединений
  Рис. 1.2. Формирование многослойной система микросхемы
  Рис. 1.21 Технология напряженного кремния в PMOS- и NMOS-транзисторах
  Рис. 1.22 Сканер-степпер TWINSCAN XT1700i (а) и его обектив (б)
  Рис. 1.23 Типичные фрагменты рисунков шаблонов для коррекции оптической близости
  Рис. 1.24 Принцип действия технологии фазосдвигающих масок: а) – после прохождения маски э/м волна вышла в противофазе по отношению к опорной волне; б) – распределение интенсивности поля на поверхности подложки
  Рис. 1.25 Принцип иммерсионной литографии
  Рис. 1.26 Технология high-k-диэлектрик/металлический затвор
  Рис. 1.27 Комплекс НАНОФАБ 100 компании НТ-МДТ

  Диаграмма 2.1 Динамика общего производства ИС в России 2008-2011г.г.
  Диаграмма 2.2 Структур российского производства ИС по типам (в шт)
  Диаграмма 2.3 Стоимостное распределение по типам производимых в России ИС в 2010г
  Диаграмма 2.4 Структур российского производства ИС по типам (в деньгах)
  Диаграмма 2.5 Объемы российского производства ИС в 2010г. для различных сегментов рынка
  Диаграмма 2.6 Поставки в Россию ИС белорусского производства: структура по типам
  Диаграмма 2.7 Поставки в Россию ИС белорусского производства: структура по потребительским сегментам
  Диаграмма 2.8 Объем поставок ИС, разработанными российскими независимыми дизайн-центрами, но произведенными зарубежном: структура по типам ИС (в шт)
  Диаграмма 2.9 Объем поставок ИС, разработанными российскими независимыми дизайн-центрами, но произведенными зарубежном: структура по типам ИС (в деньгах)
  Диаграмма 2.10 Распределение продукции независимых дизайн-центров в 2010г по потребительским сегментам рынка (российское и импортное производство
  Диаграмма 3.1. Общая динамика импорта ИС в Россию за 2008 – 2010гг, 2011г(1-е полугодие) в количественном выражении
  Диаграмма 3.2 Динамика импорта ИС в Россию за 2008 – 2010гг, 2011г(1-е полугодие) в денежном выражении
  Диаграмма 3.3 Региональное распределение импорта ИС в Россию в количественном выражении в 2010г
  Диаграмма 3.4 Региональное распределение импорта ИС в Россию в денежном выражении в 2010г
  Диаграмма 3.5 Распределение импорта по типам ИС в РФ в количественном выражении в 2010г
  Диаграмма 3.6 Распределение импорта по типам ИС в РФ в денежном выражении в 2010г
  Диаграмма 3.7 Структур импорта ИС по сферам назначения (в шт.)
  Диаграмма 3.8 Структур импорта ИС по сферам назначения (в деньгах)
  Диаграмма 3.9 Общая динамика экспорта ИС российскими компаниями за 2008 – 2010гг, 2011г(1-е полугодие), млн. шт
  Диаграмма 3.10 Общая динамика экспорта ИС российскими компаниями за 2008 – 2010гг, 2011г(1-е полугодие), млн. долл. США
  Диаграмма 3.11 Структура экспорта ИС по типам (в шт)
  Диаграмма 3.12 Структура экспорта ИС по типам (в деньгах)
  Диаграмма 3.13 Структура экспорта ИС на областям применения (в шт)
  Диаграмма 4.1 Динамика внутреннего потребления ИС на российском рынке за 2008 – 2011гг
  Диаграмма 4.2 Распределение поставщиков ИС на российский рынок в 2010 году
  Диаграмма 4.3 Структура распределения процессоров по потребительским сегментам, 2010г
  Диаграмма 4.4 Структура предложения контроллеров на российском рынке: Россия, Белоруссия, импорт, 2010г.
  Диаграмма 4.5 Структура распределения контроллеров по потребительским сегментам, 2010г.
  Диаграмма 4.6 Структура предложения ПЛИС на российском рынке: Россия, импорт, 2010г
  Диаграмма 4.7 Структура распределения ПЛИС по потребительским сегментам, 2010г
  Диаграмма 4.8 Структура предложения ИС памяти на российском рынке: Россия, Белоруссия, импорт, 2010г
  Диаграмма 4.9 Структура распределения ИС памяти по потребительским сегментам, 2010г
  Диаграмма 4.10 Структура предложения ИС питания на российском рынке: Россия, Белоруссия импорт, 2010г.
  Диаграмма 4.11 Структура распределения ИС питания по потребительским сегментам, 2010г.
  Диаграмма 4.12 Структура предложения ИС обработки сигналов на российском рынке: Россия, Белоруссия импорт, 2010г.
  Диаграмма 4.13 Структура распределения ИС обработки сигналов по потребительским сегментам, 2010г.
  Диаграмма 4.14 Структура предложения ID- и RFID- чипов на российском рынке: Россия, импорт, 2010г.
  Диаграмма 4.15 Структура распределения ID- и RFID- чипов по потребительским сегментам, 2010г.
  Диаграмма 4.16 Распределение микросхем в сегменте автоэлектроника по типам в 2010 году
  Диаграмма 4.17 Распределение микросхем в сегменте промышленная электроника
  по типам в 2010 году
  Диаграмма 4.18 Распределение микросхем в сегменте ВПК и авиакосмос
  по типам в 2010 году
  Диаграмма 4.19 Распределение микросхем в сегменте бытовая электроника
  по типам в 2010 году
  Диаграмма 4.20 Распределение микросхем в сегменте бытовая электроника
  по типам в 2010 году
  Диаграмма 4.21 Распределение микросхем в сегменте телекоммуникация и связь
  по типам в 2010 году
  Диаграмма 4.22 Распределение микросхем в сегменте НИР и медтехника
  по типам в 2010 году

• Международный рынок интегрированных инерциально-спутниковых навигационных систем для авиации
  Компания MegaRеsearch предлагает вашему вниманию полноценное исследование международного рынка интегрированных инерциально-навигационных систем для авиации (большой и малой пилотируемой, беспилотной, а также ракетно-космической техники). Различают четыре основных уровня интеграции спутниковых навигационных систем и инерциально-навигационных систем, которые и будут рассмотрены в исследовании: • Раздельные системы (Separate Systems). • Свободно соединенные или слабо связанные системы (Loosely Coupled Systems). • Тесно интегрированные системы (Tightly Coupled Systems). • Глубокое интегрирование (Deep Integration) Выяснилось, что в России производством различного типа инерциальных навигационных приборов в области авиации и тактического ракетного вооружения традиционно занимается ОАО «Уральский приборостроительный завод» (г. Екатеринбург), входящий в состав ОАО «Концерн «Авиаприборостроние» Ведущим разработчиком инерциально-спутниковых систем для космонавтики в настоящий момент является ФГУП «Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени Н.А. Пилюгина» (Москва), вместе со своими филиалами представляющего из себя интегрированную структуру в составе Роскосмоса. Клиентами этого предприятия в плане инерциальн…
• Рынок LTCC* (низкотемпературная совместно обжигаемая керамика)
  1. ОБЗОР РЫНКА LTCC В РОССИИ
  1.1 Общая информация по рынку
  1.1.1 Основные характеристики рынка LTCC в России
  1.1.2 Объем, динамика и емкость рынка
  1.1.3 Оценка текущих тенденций и перспектив развития рынка
  1.1.4 Оценка факторов, влияющих на рынок
  1.2 Структура рынка
  1.2.1 Структура рынка по компаниям-производителям и компаниям-дистрибьютерам
  1.2.2 Структура рынка по отраслям и типу потребителей
  1.2.3 Структура рынка по видам производимых изделий
  2. АНАЛИЗ ВНЕШНЕТОРГОВЫХ ПОСТАВОК LTCC
  2.1 Объем и динамика импорта
  2.1.1 по странам-производителям (в натуральном и стоимостном выражении)
  2.1.2 по компаниям–производителям (в натуральном и стоимостном выражении)
  2.2 Объем и динамика экспорта
  3. АНАЛИЗ МИРОВОГО И РОССИЙСКОГО ПРОИЗВОДСТВА LTCC
  3.1 Крупнейшие игроки рынка LTCC
  3.1.1 Насыщенность рынка
  3.1.2 Основные компании-производители и компании дистрибьюторы LTCC
  3.1.3 Основные потребители в России (5 компаний в каждой отрасли) и объемы потребления
  4. РЕКОМЕНДАЦИИ И ВЫВОДЫ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЫНКА LTCC В РОССИИ
  Перспективы развития рынка
  Выводы по исследованию
• Исследование рынка геофизического оборудования в России
  1. Обзор рынка геофизического оборудования в России 1.1 Объем рынка геофизического оборудования в России в 2013-2014 году 1.2 Оценка текущих тенденций и перспектив развития рынка 2. Структура рынка 2.1 Структура рынка по видам геофизического оборудования 2.2 Структура рынка по производителям 2.3 Структура рынка по типам потребителей 3. Конкурентный анализ: крупнейшие производители геофизического оборудования, представленные в России 3.1 Основные компании-производители: профили компаний и доля на рынке 3.2 Ассортимент конкурентов (виды производимого геофизического оборудования) 3.3 Анализ цен производителей на геофизическое оборудование 4. Рекомендации и выводы по исследованию рынка геофизического оборудования в России 4.1 Сдерживающие факторы на рынке 4.2 Перспективы развития рынка 4.3 Выводы по исследованию
• Анализ мирового рынка литий-ионных(Li-ion) аккумуляторных батарей
  1. Обзор мирового рынка Li-ion аккумуляторных батарей, 2010-2014 гг. 1.1. Основные характеристики рынка 1.2. Объем, емкость и динамика рынка 1.3. Оценка текущих тенденций и перспектив развития рынка 1.4. Оценка факторов, влияющих на рынок 1.5. Структура рынка: 1.5.1. по отраслям потребления 1.5.2. по станам-производителям (США, Канада, Китай, Япония, Германия, Франция, Россия, Казахстан) 1.5.3. по странам-потребителям (США, Канада, Китай, Япония, Германия, Франция, Россия, Казахстан) 1.6. Существующие технологии синтеза катодных материалов для Li-ion аккумуляторных батарей (в разрезе рассматриваемых стран: США, Канада, Китай, Япония, Германия, Франция, Россия, Казахстан) 2. Анализ мирового производства Li-ion аккумуляторных батарей, 2010-2014 гг. 2.1. Объем и динамика производства 2.2. Конкурентный анализ: крупнейшие производители 2.2.1. Насыщенность рынка 2.2.2. Основные компании-конкуренты 2.2.2.1. Объем производства 2.2.2.2. Доля на рынке 2.2.2.3. Используемые технологии синтеза катодных материалов для Li-ion аккумуляторных батарей 3. Анализ мирового потребления Li-ion аккумуляторных батарей, 2010-2014 гг. 3.1. Оценка объема и структуры потребления 3.2. Основные потребители 3.3. Анализ факторов спроса 3.4. Критерии выбора поставщика у основных потребителей 4. Выводы по исследо…